20n135fd代换-20n135fd代换20N1353

发布：更新时间：2023-03-14 06:20:16

本文目录一览：

电磁炉场效应管TGAN20N135D坏用什么场效应管代？

电磁炉功率管场效应管TGAN20N135D坏了的代换：

该型号场效应管的主要参数：

它是N沟场效应管

Ic＝20A

BVce＝1350v

最大功率80w以上。

该型号的场效应管代换原则，是只能用等于或大于它的参数的同类型号的场效应管代换。

可以代替的型号：

F25T135FD 、GT25Q101、IRFPH40k、lRFPH20M／30M和HF7757等型号的场效应管代替。

两个都是20A耐压1200∨以上的大功率管，但是20N135FD是含阻尼管的，另一个不含，是代替不了的。如果一定要换就得在H20R1203管的c极e极之间串接一个恢复二极管。

20n135fdm参数是高通骁龙870处理器。采用的是三星七纳米的结构工艺，安兔兔跑分达到了六十几万分，支持满血的闪存以及内存。这款手机还内置了4500毫安电池，支持44w的快速充电以及27w的无线充电，支持立体声的双扬声器。支持IP六八级别的防水防尘。

没见过20N135FD的IGBT，具体应该是20A耐压1350V的产品，H20R1203是西门子20A耐压1200V产品，如果是家用单管IGBT电磁炉的话，放心的换。如果商用或双管IGBT的话，可以试一试。

H25R1203可以代换20N135FD的，前面的电流大，电压略低一点，实际工作不影响的，

20n135fd代换-20n135fd代换20N1353

文章排行